8
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
MRFG35010ANT1
Figure 8. MRFG35010ANT1 Test Circuit Component Layout — 750 MHz
C9
C8 C7
C1
C2
C6
C20
R2
C17
C19
C18
C10
C12 C11
MRFG35010AN Rev. 2
700MHz -- 900MHz
Q1
-- VGG
+VDD
R1
C5
C4
C3
C13
C14
C15
C16
L1
L2
C21
Table 8. MRFG35010ANT1 Test Circuit Component Designations and Values — 750 MHz
Part
Description
Part Number
Manufacturer
C1, C19
100 pF Chip Capacitors
ATC600F101JT250XT
ATC
C2
10 pF Chip Capacitor
ATC600F100JT250XT
ATC
C3, C16
10 pF Chip Capacitors
ATC100A100JP150XT
ATC
C4, C15
100 pF Chip Capacitors
ATC100A101JP150XT
ATC
C5, C14
100 pF Chip Capacitors
ATC100B101JP500XT
ATC
C6, C13
1000 pF Chip Capacitors
ATC100B102JP50XT
ATC
C7, C12
0.1
?F Chip Capacitors
CDR33BX104AKWS
AVX
C8, C11
39K pF Chip Capacitors
ATC200B393KP500XT
ATC
C9, C10
22
?F, 35 V Tantalum Capacitors
T491X226K035AT
Kemet
C17
1.8 pF Chip Capacitor
ATC600F1R8BT250XT
ATC
C18
6.8 pF Chip Capacitor
ATC600F6R8BT250XT
ATC
C20
22 pF Chip Capacitor
ATC600F220JT250XT
ATC
C21
1 pF Chip Capacitor
ATC600F1R0BT250XT
ATC
L1, L2
18 nH Chip Inductors
LL1608--FSL18NJ
TOKO
Q1
Power FET GaAs Transistor
MRFG35010ANT1
Freescale
R1
51
?, 1/10 W Chip Resistor
RM73B1JT510J
KOA Speer
R2
4.7
?, 1/10 W Chip Resistor
CR10--4R7J--T
Kyocera
PCB
0.020?,
?r
=3.5
RO4350B
Rogers
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
MRFG35010AR1
TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF
MRFG35010MT1
MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD
MRFG35010NT1
MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD
MRFG35010R1
TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF
MRFG35020AR1
TRANSISTOR RF 20W GAAS NI-360
MRFG35030R5
MOSFET RF 3550MHZ 30W 12V HF-600
MSD6100RLRAG
DIODE SW DUAL CC 100V TO-92
MSQC4911C
LED 7-SEG CLOCK 4DIG CA HRED .4"
相关代理商/技术参数
MRFG35010AR1
功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
MRFG35010AR5
功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
MRFG35010MR5
制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MRFG35010MT1
功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35010N
制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRFG35010NR5
功能描述:TRANSISTOR RF 9W 12V POWER FET RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35010NT1
功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35010R1
功能描述:TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR